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DTB結晶器更加符合實(shí)際生產(chǎn)的工況

更新時(shí)間:2021-05-31      點(diǎn)擊次數:2367
  DTB結晶器是一種晶漿內循環(huán)結晶器,其典型特點(diǎn)是結晶器內部有攪拌器、導管和擋板,還有配套的熱交換裝置和細晶消除裝置。晶漿液從內導流板底部通過(guò)內置攪拌器上升,直到液面接觸到過(guò)飽和度較大的區域并消耗過(guò)飽和度。它還沿著(zhù)內部和外部導流筒之間的環(huán)形區域下降。在結晶器筒體與外偏轉器之間的環(huán)形間隙處,晶漿與澄清液分離,晶漿繼續向下循環(huán)。澄清后的液體從外環(huán)進(jìn)入細晶消除裝置,溶解多余的細晶核,保證晶核不會(huì )過(guò)多,使晶體粒度分布更均勻。
 

DTB結晶器

 

  DTB結晶器在蒸發(fā)結晶過(guò)程中,過(guò)飽和的產(chǎn)生速度取決于蒸發(fā)速度,即設備的蒸發(fā)強度。蒸發(fā)強度越大,產(chǎn)生過(guò)飽和的速度就越快,過(guò)飽和的可能性就越大。過(guò)飽和度的消除主要取決于晶體的自發(fā)成核和生長(cháng)。如果結晶器內有足夠的晶面和較快的生長(cháng)速度,蒸發(fā)引起的所有過(guò)飽和度都能在晶面上生長(cháng),溶液的過(guò)飽和度不會(huì )超過(guò)溶液的較大過(guò)飽和度。通過(guò)成核過(guò)程消除溶質(zhì)的程度,以消除過(guò)飽和度,以免產(chǎn)生大量晶核。
  如果溶液中的晶面不足,晶體的生長(cháng)不足以消除因蒸發(fā)引起的過(guò)飽和,使溶液過(guò)飽和度過(guò)高,而在不穩定區域,溶液過(guò)飽和度會(huì )降低自發(fā)成核過(guò)程消耗過(guò)飽和度,從而形成大量細小顆粒。因此,在蒸發(fā)結晶過(guò)程中需要控制蒸發(fā)強度,使結晶體系的過(guò)飽和度始終處于結晶亞穩區內,以保證設計的蒸發(fā)結晶設備能生產(chǎn)出滿(mǎn)足設計任務(wù)的產(chǎn)品。晶體在生長(cháng)區停留時(shí)間越長(cháng),晶體生長(cháng)時(shí)間越長(cháng),晶粒越大。大尺寸晶體的形成需要足夠的生長(cháng)時(shí)間?;跍蚀_的結晶動(dòng)力學(xué)數據,我們將根據設計任務(wù)中所需的晶體生長(cháng)速度和粒度來(lái)設計合適的DTB結晶器。
 

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